[发明专利]散热元件及其制备方法和IGBT模组有效

专利信息
申请号: 201910253271.0 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN111755400B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 潘力争;唐柳平;王亚楠;张登超;赵树明 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;C23G1/20
代理公司: 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 代理人: 郑永胜
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本公开涉及一种散热元件及其制备方法和IGBT模组,该散热元件包括铝碳化硅基板(1)和通过焊层(2)连接在所述铝碳化硅基板(1)上的铜柱(3),所述铜柱(3)具有未与所述焊层(2)连接的第一表面和与所述焊层(2)连接的第二表面,所述第一表面上具有第一镀镍层(4),所述铝碳化硅基板(1)的表面具有第二镀镍层(5),以所述铜柱(3)的第二表面的表面积为基准,所述铜柱(3)与铝碳化硅基板(1)之间的结合力为9~33N/mm2,以所述铜柱(3)的总表面积为基准,所述铜柱(3)的第二表面的氧化物含量为0.05~0.18g/m2。本公开的散热元件具有较高的强度,且散热性能更好。
搜索关键词: 散热 元件 及其 制备 方法 igbt 模组
【主权项】:
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