[发明专利]等离子体处理装置在审
申请号: | 201910256118.3 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN110349823A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 西川和宏 | 申请(专利权)人: | 日本电产株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H05H1/24 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理装置,对工件的沿轴向延伸的贯通孔进行等离子体处理,该等离子体处理装置具有电极部和气体流生成部,所述电极部与位于所述工件的所述贯通孔端面的周围的周围区域在轴向上对置,所述气体流生成部生成从所述周围区域与所述电极部之间的间隙朝向所述贯通孔流动的气体流。 | ||
搜索关键词: | 等离子体处理装置 电极部 贯通孔 气体流 周围区域 等离子体处理 轴向延伸 对置 流动 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其对工件的沿轴向延伸的贯通孔进行等离子体处理,其中,该等离子体处理装置具有电极部和气体流生成部,所述电极部与位于所述工件的所述贯通孔端面的周围的周围区域在轴向上对置,所述气体流生成部生成从所述周围区域与所述电极部之间的间隙朝向所述贯通孔流动的气体流。
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