[发明专利]一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910256342.2 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN111769161A 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 李治玥;宋淑梅;杨田林;孙珲;刘通 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/24
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 赵晓琳
地址: 264200 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于晶体管制备技术领域,尤其涉及一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。本发明提供的氮掺非晶氧化物薄膜晶体管中的氮掺ITZO有源层为非晶结构,在可见光范围内透过率约90%;以氮掺ITZO为有源层的薄膜晶体管具有场效应高(场效应迁移率高达27.97cm2/(V·s))、界面态密度低、稳定性强的特点,可以实现在室温下制备高性能氮掺ITZO薄膜晶体管。
搜索关键词: 一种 氮掺非晶 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
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