[发明专利]一种具有抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910256413.9 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN109950306B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 高群 | 申请（专利权）人： | 浙江航芯源集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 张沫 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有抗总剂量辐照VDMOS器件及其制作方法，包括复合栅氧化层、多晶硅栅电极和N‑外延层；复合栅氧化层包括二氧化硅层和氮化硅层，复合栅氧化层位于N‑外延层和多晶硅栅极之间；本发明提供具有双层复合栅氧结构的一种抗总剂量辐照的VDMOS器件及其制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 剂量 辐照 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有抗总剂量辐照VDMOS器件，其特征在于，包括复合栅氧化层、多晶硅栅电极和N‑外延层；复合栅氧化层包括二氧化硅层和氮化硅层，复合栅氧化层位于N‑外延层和多晶硅栅极之间。
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