[发明专利]阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片有效
申请号: | 201910256479.8 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN109873053B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 董学;耿越;蔡佩芝 | 申请(专利权)人: | 北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L27/144;B01L3/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技术开*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片,由于微转印工艺是基于硅基工艺的,硅基工艺下制备的光电二极管具有很好的器件性能,从而通过微转印工艺将光电二极管形成在衬底基板上,可以解决直接利用玻璃基板制备的光电二极管的光电特性不佳的问题,进而改善形成的光电二极管的性能。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 数字 微流控 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板应用于数字微流控芯片中;所述阵列基板的制备方法包括:在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形;其中,所述光电二极管和所述透明驱动电极相互绝缘,所述光电二极管采用微转印工艺形成在所述衬底基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的