[发明专利]采用非平衡直流电弧等离子体进行晶体结构编辑的方法有效

专利信息
申请号: 201910256515.0 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN109949876B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 胡松;池寰瀛;李寒剑;向军;苏胜;汪一;许凯;何立模;徐俊;韩亨达 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G16C20/50 分类号: G16C20/50;G16C20/90
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 樊戎
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种采用非平衡直流电弧等离子体进行晶体结构编辑的方法,包括1)主运行流程:1.1)判断被编辑物质是否存在于经由建立参数流程建立的运行参数数据库中,如果是则调用其中的运行参数,否则转入建立参数流程;1.2)依据调用的运行参数进行直流电弧等离子体处理;1.3)对处理后的被编辑物质的晶体结构进行测量,判断是否为目标晶体结构,如果是则输出产品;2)建立参数流程:2.1)进行预实验;2.2)确定主运行参数;2.3)进行验证实验,得到对应不同主运行参数的晶体结构数据;2.4)将运行参数数据录入运行参数数据库中。该方法利用直流电弧对晶体结构进行编辑,具有编辑效率高、稳定可靠、适应性好的优点。
搜索关键词: 采用 平衡 直流 电弧 等离子体 进行 晶体结构 编辑 方法
【主权项】:
1.一种采用非平衡直流电弧等离子体进行晶体结构编辑的方法,其特征在于:包括1)主运行流程和2)建立参数流程;其中,主运行流程具体包括如下步骤:1.1)判断被编辑物质是否存在于经由建立参数流程建立的运行参数数据库中,如果是则调用运行参数数据库中的运行参数,否则转入建立参数流程中建立该物质的运行参数数据后返回主运行流程;1.2)依据调用的运行参数数据调整直流电弧等离子体处理装置,对被编辑物质进行直流电弧等离子体处理;1.3)直流电弧等离子体处理完成后,对处理后的被编辑物质的晶体结构进行测量,判断是否为目标晶体结构,如果是则输出产品;建立参数流程具体包括如下步骤:2.1)进行预实验:选择等离子体处理装置的多个运行参数,对待建立数据物质进行预实验,预实验包括多个子实验,每个子实验选择一组运行参数进行直流电弧等离子体处理,并对获得的晶体结构进行测量;2.2)确定主运行参数:对比各个子实验的测量结果,评价各运行参数对晶体结构的影响,选取出对待建立数据物质晶体结构影响最显著的运行参数,作为其晶体结构编辑中的主运行参数;同时择优选择其它运行参数;2.3)进行验证实验:保持其他运行参数的数值固定,改变主运行参数的数值,通过直流电弧等离子体对被编辑物质进行处理,对处理后样品的晶体结构进行测量,得到对应不同主运行参数的晶体结构数据;2.4)将该物质的运行参数数据,包括主运行参数与晶体结构的对应数据,以及固定数值的其他运行参数录入运行参数数据库中。
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