[发明专利]一种变换器及其调制方法

摘要

本发明公开了一种变换器及其调制方法，属于电力电子变换器技术领域。其中变换器的直流侧一端与电感Lin的一端连接，电感Lin的另一端与功率开关管S1的端子1和开关器件的导通端相连，开关器件的截止端分别连接功率开关管S2和S4端子1以及电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接功率开关管S3和S5端子2，变换器直流侧的另一端、功率开关管S1和S2端子2、功率开关管S3端子1和交流侧的一端均接地，功率开关管S5端子1与功率开关管S4端子2相连于交流侧的另一端。另外还提出了相应调制方法，以及双向变换器及其对应调制方法。针对传统升压逆变器存在高频漏电流的问题，本发明集成度高，体积小，能够有效解决高频漏电流问题。

主权项

1.一种变换器，其特征在于：包括功率开关管S₁、S₂、S₃、S₄和S₅，电感L_in和电容C₁，还包括开关器件；变换器直流侧的一端与电感L_in的一端连接，电感L_in的另一端与功率开关管S₁的端子1和开关器件的导通端相连，开关器件的截止端分别连接功率开关管S₂和S₄端子1以及电容C₁的一端，电容C₁的另一端分别连接功率开关管S₃和S₅的端子2；直流侧的另一端，功率开关管S₁和S₂端子2，功率开关管S₃端子1和交流侧的一端均接地；功率开关管S₅端子1和功率开关管S₄端子2相连于交流侧的另一端；功率开关管包括S₁、S₂、S₃、S₄、S₅和S₆为MOSFET器件、IGBT或三极管；当功率开关管使用IGBT或三极管时，功率开关管的端子1、3和2分别对应代表IGBT或三极管的集电极、基极和发射极；当功率开关管使用MOSFET时，功率开关管的端子1、3和2分别对应代表MOSFET的漏极、栅极和源极。