[发明专利]三维铁电存储器件有效
| 申请号： | 201910257288.3 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN110828461B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 吕震宇;胡禺石;陶谦 | 申请（专利权）人： | 无锡拍字节科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 李镝的 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区净慧东路7*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了三维(3D)铁电存储器件和用于制造三维铁电存储器件的方法的实施例。在一实施例中，三维铁电存储器件包括衬底和多个铁电存储单元，每个铁电存储单元都在衬底之上垂直延伸。每个铁电存储单元包括电容器和与电容器电连接的晶体管。电容器包括第一电极、第二电极和在横向上布置在第一电极与第二电极之间的铁电层。晶体管包括沟道结构、栅导体、以及在横向上布置在沟道结构与栅导体之间的栅介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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