[发明专利]一种低重稀土含量的R-Fe-B类磁体的制备方法有效
申请号: | 201910257731.7 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN109859922B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 毛华云;毛琮尧;刘路军;王荣江;赖欣 | 申请(专利权)人: | 金力永磁(包头)科技有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 014000 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明提供了一种R‑Fe‑B类磁体的制备方法,包括以下步骤:A)将R1‑Fe‑B‑M1样品与RH‑M2‑Q1样品混合后氢碎,得到粗粉;B)将所述粗粉进行扩散处理,将扩散处理后得到的粗粉进行氢碎;C)将步骤B)得到的粗粉进行气流磨,将得到的细粉成型;D)将成型后的磁体烧结,得到R‑Fe‑B类磁体。在制备R‑Fe‑B类磁体的过程中,通过上述方法使得制备的磁体具有在基本保持烧结磁体的剩磁和最大磁能积的前提下,使用极少量重稀土Dy或Tb而显著提高了磁体矫顽力。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 含量 fe 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种R‑Fe‑B类磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A)将R1‑Fe‑B‑M1样品与RH‑M2‑Q1样品混合后氢碎,得到粗粉;R1选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Gd、La、Ho和Ce中的一种或多种,M1选自Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W和Mo中的一种或多种,R1的含量为26wt%~33wt%,B的含量为0.8wt%~1.2wt%,M1的含量为0~4wt%,余量为Fe;RH选自Dy和Tb中的至少一种,M2选自Fe、Al、Cu、Zn、Ga、Ge、Nb、Ti或Zr,Q1选自Zn、Sn、V、W、Ni、Ta、Mn、Cd或Mo,RH的含量为70wt%~100wt%,M2的含量为0~30wt%,Q1的含量为0~10wt%,RH、M2和Q1的总含量为100wt%;B)将所述粗粉进行扩散处理,将扩散处理后得到的粗粉进行氢碎;C)将步骤B)得到的粗粉进行气流磨,将得到的细粉成型;D)将成型后的磁体烧结,得到R‑Fe‑B类磁体。
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