[发明专利]LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备有效

专利信息
申请号: 201910257884.1 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN111763927B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 杨力勇;沈震 申请(专利权)人: 上海先进半导体制造有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;张冉
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备。LPCVD炉管法兰温控装置包括温度传感器、温度控制器、第一继电器、固态继电器、电磁阀和冷却流体管路,温度传感器用于检测法兰的温度,温度控制器的输入端连接温度传感器,以获取温度传感数据,温度控制器的输出端经由第一继电器的第一触头连接至固态继电器的输入端,其中第一触头为常开触头,固态继电器的输出端连接至布置于冷却流体管路中的电磁阀,电磁阀为常开电磁阀;其中,温度控制器配置为,根据温度传感数据控制固态继电器的闭合和断开。本发明能够通过控制冷却流体通过炉管的法兰,精确控制法兰温度,减少硅片生产中产生的颗粒物数量,又不损坏法兰密封圈。
搜索关键词: lpcvd 炉管 法兰 温控 装置 设备
【主权项】:
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