[发明专利]LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备有效
申请号: | 201910257884.1 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN111763927B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 杨力勇;沈震 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备。LPCVD炉管法兰温控装置包括温度传感器、温度控制器、第一继电器、固态继电器、电磁阀和冷却流体管路,温度传感器用于检测法兰的温度,温度控制器的输入端连接温度传感器,以获取温度传感数据,温度控制器的输出端经由第一继电器的第一触头连接至固态继电器的输入端,其中第一触头为常开触头,固态继电器的输出端连接至布置于冷却流体管路中的电磁阀,电磁阀为常开电磁阀;其中,温度控制器配置为,根据温度传感数据控制固态继电器的闭合和断开。本发明能够通过控制冷却流体通过炉管的法兰,精确控制法兰温度,减少硅片生产中产生的颗粒物数量,又不损坏法兰密封圈。 | ||
搜索关键词: | lpcvd 炉管 法兰 温控 装置 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的