[发明专利]利用高熵合金提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201910258221.1 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN109970068B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王烨;杨贵翔;韩子柯;任永生;王辛龙 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 郑旭;武森涛 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用高熵合金提纯多晶硅的方法，属于高晶硅提纯领域。利用高熵合金提纯多晶硅的方法，包括如下步骤：a、将高熵合金与原料硅混合，在真空或惰性气氛中加热至熔融，在电磁场下进行定向凝固；b、定向凝固后冷却，将硅与合金分离，得到提纯后的多晶硅。本发明方法，利用真空电磁感应炉和定向凝固装置实现高熵合金相与硅相分离，在实现硅中除硼的同时，提高合金的耐磨性能，为低成本制备太阳能级硅技术在除硼环节上提供新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 合金 提纯 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1.利用高熵合金提纯多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：a、将高熵合金与原料硅混合，在真空或惰性气氛中加热至熔融，在电磁场下进行定向凝固；b、定向凝固后冷却，将硅与合金分离，得到提纯后的多晶硅。
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