[发明专利]大功率LED封装用基板及其制备方法、大功率LED封装结构在审
申请号: | 201910259100.9 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN110021695A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 潘明强;久磊;刘吉柱;王阳俊 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;C25D11/02 |
代理公司: | 宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙) 33273 | 代理人: | 袁丽花 |
地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种大功率LED封装用基板及其制备方法、大功率LED封装结构,所述基板包括金属基体、位于金属基体上的绝缘导热层、及位于绝缘导热层和/或金属基体上方且与金属基体电性连接的电极,所述绝缘导热层通过扫描式微弧氧化方法在金属基体上生长形成,所述电极包括第一电极及第二电极。本发明基于微弧氧化的基板可优化传统的封装结构,减少导热通道的热阻,能有效解决大功率LED的散热问题,可广泛用于大功率LED散热基板或衬底的制备。 | ||
搜索关键词: | 金属基体 基板 绝缘导热层 制备 大功率LED封装结构 大功率LED封装 电极 大功率LED散热 大功率LED 导热通道 第二电极 第一电极 电性连接 封装结构 散热问题 微弧氧化 有效解决 传统的 衬底 热阻 扫描 生长 优化 | ||
【主权项】:
1.一种大功率LED封装用基板,其特征在于,所述基板包括金属基体、位于金属基体上的绝缘导热层、及位于绝缘导热层和/或金属基体上方且与金属基体电性连接的电极,所述绝缘导热层通过扫描式微弧氧化方法在金属基体上生长形成,所述电极包括相对设置的第一电极及第二电极。
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