[发明专利]一种双面太阳能电池超浅结结深的测量方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201910259916.1 申请日: 2019-04-02
公开(公告)号: CN110011617B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 马晓波;陈焕铭;曹志杰;杨利利 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: H02S50/10 分类号: H02S50/10;G01B11/22
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 750001 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明是一种双面电池PN结测量方法,通过石墨管状电极真空吸附待测硅片,使待测面接触电解溶液氧化生成二氧化硅薄膜,再通过光纤光谱仪实时监控测量薄膜厚度,用氢氟酸溶液将氧化层去除,四探针测量电阻率,重复氧化层生成‑测量膜厚‑腐蚀氧化层‑测量电阻率步骤,直到电阻率等于基片电阻。将硅片翻转重复上述步骤,实现背面PN结深度的测量。本发明所述的PN结深度的测量方法适用于双面电池结深测量,具有步骤简单、成本低廉、测量精准的特点。
搜索关键词: 一种 双面 太阳能电池 超浅结结深 测量方法 及其 装置
【主权项】:
1.一种双面太阳能电池超浅结结深的测量方法及其装置,包括提拉仪(1),其特征在于,所述提拉仪(1)的上部设置有旋转盘(11),所述旋转盘(11)上夹装有真空管(12),所述真空管(12)与真空泵(2)相连,所述真空管(12)的内部设置有石墨电极(5),所述真空管(12)可通过真空度的调节带动石墨电极(5)上下移动,所述石墨电极(5)的上端与直流电源(3)的正极相接通,直流电源(3)可为石墨电极(5)提供电流,所述石墨电极(5)的正下方放置有参比硅片(7),当石墨电极(5)通电后可将参比硅片(7)吸附在石墨电极(5)的下部,所述提拉仪(1)的底部平台上放置有分别盛放HF溶液(8)与电解溶液(9)的容器,所述直流电源(3)的负极与铂阴极(6)相连通,所述铂阴极(6)放置在电解溶液(9)的内部,所述参比硅片(7)的底部与光纤(10)相连接,所述光纤(10)与光纤光谱仪(4)相连,测量过程包括如下步骤:(1)配制电解溶液(9);(2)测量参比硅片(7);(3)阳极氧化扩散片待测面生成二氧化硅膜;(4)腐蚀二氧化硅;(5)清洗参比硅片(7);(6)测量方阻;(7)累积计算;(8)测量背面PN结深度。
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