[发明专利]一种负温度系数电阻型深低温温度传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201910260398.5 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110132445B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘景全;林祖德 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/22 | 分类号： | G01K7/22;C04B41/50 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 徐红银;赵楠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负温度系数电阻型深低温温度传感器及制备方法，其中传感器的温度敏感膜为氮氧化铪薄膜，氮氧化铪薄膜的薄膜生长过程，通过调节反应氮氧混合气体的流量得到不同的氮氧元素比例，获得不同性能的氮氧化铪薄膜，得到氮氧化铪薄膜之后通过MEMS微加工工艺得到微型氮氧化铪深低温传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 系数 电阻 低温 温度传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种负温度系数电阻型深低温温度传感器，包括衬底、温度敏感膜和电极，其特征在于：所述温度敏感膜为氮氧化铪薄膜，所述氮氧化铪薄膜设置所述衬底上方。
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