[发明专利]一种基于铪酸钙材料的复杂氧化物场效应晶体管有效
| 申请号： | 201910261407.2 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN109950304B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 谢燕武;张蒙;任天爽;陈峥 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/778 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铪酸钙材料的复杂氧化物场效应晶体管。钛酸锶衬底上的中间形成凹槽作为导电通道，导电通道以外的钛酸锶衬底上表面沉积形成绝缘的氧化物材料，氧化物材料上表面和导电通道中通过激光脉冲沉积方式外延生长极薄的铪酸钙从而形成铪酸钙介电材料，铪酸钙介电材料和钛酸锶衬底之间的界面处会形成具有二维电子气的异质结；在导电通道的上表面利用电子束沉积覆盖形成栅极材料作为栅极，在未覆盖栅极材料的导电通道的两端将铝丝钉入到界面处，分别作为源极和漏极。本发明通过简单的结构改进设计，实现了基于氧化物界面的场效应晶体管器件的应用，为将来制备集成更多功能耦合的氧化物界面电子器件奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铪酸钙 材料 复杂 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种基于铪酸钙材料的复杂氧化物场效应晶体管，其特征在于：包括钛酸锶衬底(1)、氧化物材料(2)、铪酸钙介电材料(3)、二维电子气(4)、栅极材料(5)、源极(6)和漏极(7)；钛酸锶衬底(1)上的中间形成一条两端大中间细的凹槽作为导电通道，导电通道以外的钛酸锶衬底(1)上表面沉积形成绝缘的氧化物材料(2)，氧化物材料(2)上表面和导电通道中通过激光脉冲沉积方式外延生长极薄的铪酸钙从而形成铪酸钙介电材料(3)，铪酸钙介电材料(3)底面和氧化物材料(2)底面位于同一平面，铪酸钙介电材料(3)和钛酸锶衬底(1)之间的界面处会形成具有二维电子气(4)的异质结；在导电通道的上表面利用电子束沉积覆盖形成栅极材料(5)作为栅极，栅极材料(5)覆盖住导电通道中间细的部分为准，导电通道的两端不能覆盖栅极材料(5)，在未覆盖栅极材料(5)的导电通道的两端将铝丝钉入到铪酸钙材料(3)和钛酸锶衬底(1)界面处，分别作为源极(6)和漏极(7)。
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