[发明专利]一种铟钾铜三金属配位聚合物晶体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910262511.3 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN109824911B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 郑文旭;郑寿添 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;C09K11/06 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市闽*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明属于配位化学技术领域，具体涉及一种铟钾铜三金属配位聚合物晶体及其制备方法和应用。所述的铟钾铜三金属配位聚合物晶体的分子式为[InKCu |
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| 搜索关键词： | 一种 铟钾铜三 金属 配位聚合 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铟钾铜三金属配位聚合物晶体，其特征在于：所述的铟钾铜三金属配位聚合物晶体的分子式为[InKCu2I2C42H58N10O14]n，n为正整数，该晶体属于单斜晶系，空间群为P21/c，单胞参数为：a=10.871(3) Å，b=19.570(6) Å，c=27.571(8) Å，β=90.815(6)°，V=5865(3) Å3，Z=4，分子量=1461.78。
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