[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法有效
| 申请号： | 201910263897.X | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN109935607B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴明;林宗贤;吴孝哲;吴龙江;熊建锋;赵培培 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括：第一半导体材料层，在其中形成有光电二极管；位于所述第一半导体材料层之下的第二半导体材料层，在其中形成有用于所述光电二极管的浮置扩散区；位于所述第二半导体材料层之下的第三半导体材料层，在其中形成有用于所述像素单元的晶体管的有源区；第一电介质材料层，位于所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间；以及第二电介质材料层，位于所述第二半导体材料层和所述第三半导体材料层之间。本公开涉及形成图像传感器的方法。本公开既能防止浮置扩散区漏电，又能不减少光电二极管的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括：第一半导体材料层，在其中形成有光电二极管；位于所述第一半导体材料层之下的第二半导体材料层，在其中形成有用于所述光电二极管的浮置扩散区；位于所述第二半导体材料层之下的第三半导体材料层，在其中形成有用于所述像素单元的晶体管的有源区；第一电介质材料层，位于所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间；以及第二电介质材料层，位于所述第二半导体材料层和所述第三半导体材料层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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