[发明专利]一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管为顶栅底接触结构，晶体管由上至下依次是栅极、介电层、半导体有源层，源漏电极以及衬底；在高分子聚合物薄膜晶体管底电极制作完毕后，通过掩膜版对准，在电极上表面形成额外的铜过渡层，然后对铜过渡层进行紫外臭氧清洗，使铜过渡层充分被氧化成氧化铜中间层，通过氧化铜中间层提高源漏电极的表面功函数，使半导体有源层与源漏电极间肖特基势垒降低，接触电阻减小，从而提高了该薄膜晶体管的电学性能。本发明所述的制备方法，可以解决高分子聚合物半导体以及源漏底电极间的接触电阻较大的问题，抑制此类半导体与金属电极的非欧姆接触，使高分子聚合物薄膜晶体管性能大幅度提升。

主权项

1.一种高分子聚合物薄膜晶体管的制备方法，该高分子聚合物薄晶体管为顶栅底接触结构，晶体管由上至下依次是栅极、介电层、半导体有源层，源漏电极及衬底，其特征在于，在高分子聚合物薄膜晶体管源漏电极制作完成后，通过掩膜版对准，在源漏电极上表面形成一层铜过渡层，然后对铜过渡层进行紫外臭氧清洗，使铜过渡层充分被氧化成氧化铜中间层(CuO_x)，通过氧化铜中间层提高源漏电极的表面功函数，使半导体有源层与源漏电极间肖特基势垒降低，接触电阻减小，提高高分子聚合物薄膜晶体管的迁移率，降低高分子聚合物薄膜晶体管的接触电阻，亚阈值摆幅以及阈值电压的绝对值。