[发明专利]一种集成启动管、采样管和电阻的DMOS及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成启动管、采样管和电阻的DMOS及其制造方法。该DMOS包括共用的衬底和设置在衬底上侧的外延层，在外延层上集成设置主MOS管、采样管和启动管，主MOS管、采样管和启动管Drain端相连、主MOS管和采样管Gate端相连，启动端的Gate和source是独立的，同时Gate端通过一个电阻连到Drain端。本发明可以降低电路中启动的损耗和电流采样的损耗，降低待机功耗。提高能源转换效率。同时集成启动管、采样管、电阻的工艺和普通DMOS工艺兼容，可以降低成本。

主权项

1.一种集成启动管、采样管和电阻的DMOS，其特征在于，包括共用的衬底和设置在衬底上侧的外延层，所述外延层上侧生长有掩蔽层，所述外延层上部设有终端耐压环、采样管有源区、启动管有源区、主MOS管有源区以及主MOS管有源区、采样管有源区和启动管有源区之间的隔离区，所述掩蔽层的上侧生长有场氧层，刻蚀掉所述主MOS管有源区、采样管有源区和启动管有源区上侧的掩蔽层和场氧层，以分别打开其有源区，所述有源区进行JFET注入和JFET退火操作，以分别降低主MOS管、采样管和启动管的导通电阻，所述有源区及场氧层的上侧长有栅氧化层，在栅氧化层上侧沉积有多晶，并将所述多晶刻蚀形成采样管、启动管和主MOS管的元胞区多晶和设置在终端耐压环上侧的多晶电阻条，所述多晶电阻条一端连接启动管的门极，其另一端连接衬底，在无多晶和场氧层覆盖的外延层内设有P阱，所述P阱一端与隔离区连接，其另一端内分别设有采样管、启动管和主MOS管的源区，所述元胞区多晶、多晶电阻条、场氧层及P阱的上侧沉积有介质层，所述介质层上刻蚀有接触孔，所述介质层上侧和接触孔内溅射有铝层，所述铝层经刻蚀形成采样管、启动管和主MOS管的栅区和源区。