[发明专利]一种氧化镓MIS结构紫外探测器在审
| 申请号： | 201910264632.1 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN109980040A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 谢峰;杨国锋 | 申请（专利权）人： | 南京紫科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/032 |
| 代理公司： | 合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34146 | 代理人： | 陈少丽 |
| 地址： | 211100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓MIS结构紫外探测器，包括N型β‑Ga2O3衬底、非故意掺杂β‑Ga2O3光吸收层、肖特基势垒介质阻挡层、欧姆接触电极层、半透明肖特基电极、介质钝化层和接触电极。本发明的优点在于采用肖特基势垒阻挡层设计提高肖特基势垒的高度，从而抑制热噪声和位错等产生暗电流的因素，降低器件的暗电流进而提升器件探测微弱信号的能力。同时该器件采用垂直结构设计无需刻蚀，从而避免了刻蚀损伤带来的器件可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒 紫外探测器 暗电流 氧化镓 欧姆接触电极层 介质钝化层 介质阻挡层 器件可靠性 肖特基电极 垂直结构 光吸收层 降低器件 接触电极 刻蚀损伤 提升器件 微弱信号 半透明 热噪声 阻挡层 衬底 刻蚀 位错 掺杂 探测 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：包括N型β‑Ga2O3衬底(101)；在所述N型β‑Ga2O3衬底(101)正面外延的非故意掺杂β‑Ga2O3光吸收层(102)；在所述非故意掺杂β‑Ga2O3光吸收层(102)正面淀积的肖特基势垒介质阻挡层(103)；在所述N型β‑Ga2O3衬底(101)背面制作的欧姆接触电极层(104)；在所述肖特基势垒介质阻挡层(103)正面制作的半透明肖特基电极(105)；在所述半透明肖特基电极(105)正面淀积的介质钝化层(106)，所述介质钝化层(106)上刻蚀有能显露半透明肖特基电极(105)的引线孔；在所述引线孔的位置制作的接触电极(107)，所述接触电极(107)延伸至引线孔内而与半透明肖特基电极(105)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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