[发明专利]一种基于氧化物的半导体膜制备方法有效
| 申请号： | 201910264697.6 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN109962011B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵春雷;崔星华;柴源;王立光;迟耀丹;周璐;高晓红;王超 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 姜美洋 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化物的半导体膜制备方法，包括以下步骤：步骤一、在包含有体积分数为85～90％的氮气气体中，在1～1.5Pa的水分压下直流溅射方法将基板输送至溅射靶的正上方，制成50～60nm的氧化物薄膜，所述溅射靶采用以氧化物的形式含有金属氧化物烧结体构成；步骤二、将所述基板在含氮氧化物的环境中以100～200℃/min的升温速率升温至120～400℃，热处理10～80min，制得氧化物半导体膜。提供了一种基于氧化物的半导体膜制备方法，能够通过对于制备中各参数的控制制备出高载流子迁移率的氧化物半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化物半导体膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在包含有体积分数为85～90％的氮气气体中，在1～1.5Pa的水分压下直流溅射方法将基板输送至溅射靶的正上方，制成50～60nm的氧化物薄膜，所述溅射靶采用以氧化物的形式含有金属氧化物烧结体构成；步骤二、将所述基板在含氮氧化物的环境中以100～200℃/min的升温速率升温至120～400℃，制得氧化物半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
