[发明专利]微发光二极管吸附体在审
| 申请号： | 201910264850.5 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110349899A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 安范模;朴胜浩;边圣铉;宋台焕 | 申请（专利权）人： | 普因特工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/15;H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 汪丽红 |
| 地址： | 韩国忠淸南道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种解决迄今为止所提出的微发光二极管的转印头的问题，采用可用于转印微发光二极管的真空吸附构造的微发光二极管吸附体及利用其的微发光二极管检查系统。 | ||
| 搜索关键词： | 微发光二极管 吸附体 检查系统 真空吸附 转印头 可用 转印 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管吸附体，其特征在于包括：多孔性部件，具有气孔；以及导电层，形成在所述多孔性部件的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
