[发明专利]一种硅透镜阵列设计方法在审
| 申请号： | 201910265891.6 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110221364A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 胡卫东;刘侃;夏全 | 申请（专利权）人： | 合肥嘉东光学股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;G03F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅透镜阵列设计方法，本发明为了解决现有技术中成本高和装配难度大的缺点，具有以下步骤：S1，选择合适的硅阵列透镜，S2，将S1中硅阵列透镜原出光面磨成45°斜面，S3，根据上述S2设置有PD侧，S4，根据上述S2设置有平行光线侧，S5，根据上述S2设置有镜侧，S6，完成上述S1‑S5步骤后，光线在此45度斜面发生全反射后偏折45°射出，硅阵列透镜采用融熔法制备球冠形的光致抗蚀剂掩膜，用离子束刻蚀实现球冠形向硅片上转移，各硅透镜间距为0.25～0.75mm，硅透镜外径为0.2～0.7mm，硅透镜光学面为凸球面，曲率半径为3.5～3.7mm。本发明采用硅阵列透镜与45°转折棱镜一体化设计，一个光学元件完成两个光学元件的功能，具有降低成本和降低装配难度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 硅透镜 透镜 硅阵列 光学元件 阵列设计 装配难度 球冠形 光致抗蚀剂掩膜 离子束刻蚀 一体化设计 平行光线 转折棱镜 出光面 光学面 全反射 凸球面 硅片 偏折 融熔 射出 | ||
【主权项】：
1.一种硅透镜阵列设计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，选择合适的硅阵列透镜。S2，将S1中硅阵列透镜原出光面磨成45°斜面。S3，根据上述S2设置有PD侧。S4，根据上述S2设置有平行光线侧。S5，根据上述S2设置有镜侧。S6，完成上述S1‑S5步骤后，光线在此所述45度斜面发生全反射后偏折45°射出。
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