[发明专利]一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法有效
申请号: | 201910266142.5 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN109950412B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 高瞻;于军胜;于欣格;杨根杰 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 廖祥文 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管及制备方法,包括以下步骤:对衬底清洗干燥处理后设置阳极层;然后用UV预处理,并传送至手套箱内进行空穴传输层制备;再移入真空镀膜室中,共混蒸镀钙钛矿材料和紫外固化剂溶液,过程中一直使用紫外光照射,制备交联钙钛矿薄膜形成的发光层;再在发光层上蒸镀制得电子传输层和阴极层,制得有机电致发光器件;最后进行封装。采用紫外共混蒸镀工艺制备钙钛矿发光层,制得的钙钛矿薄膜致密连续,粗糙度低,结晶性好,抗水氧腐蚀性强,同时通过控制钙钛矿材料和紫外固化剂的蒸发速率比调控发光亮度,增强制备过程可控性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 紫外 共混蒸镀 工艺 钙钛矿 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于紫外共混蒸镀工艺钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:对衬底(1)清洗后用氮气进行干燥处理;步骤2:在清洗干燥后的衬底(1)上设置阳极层(2)并进行清洗干燥;步骤3:将清洗干燥后的设置有阳极层(2)的衬底(1)用UV预处理,并传送至手套箱内进行空穴传输层(3)制备,得到基片;步骤4:将基片移入真空镀膜室中,共混蒸镀钙钛矿材料和紫外固化剂溶液,过程中一直使用365nm紫外光照射,激发交联反应,在基片上制备交联钙钛矿薄膜形成的发光层(4);步骤5:在发光层(4)上蒸镀电子传输材料制得电子传输层(5),再在电子传输层(5)上蒸镀金属或金属氧化物制得阴极层(6),制得有机电致发光器件;步骤6:将制得的有机电致发光器件传送至手套箱内进行封装,氛围为99.9%惰性氮气环境;步骤7:测试有机电致发光器件的电流‑电压‑亮度特性曲线以及在有机电致发光器件不同电压下的电致发光光谱特性。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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