[发明专利]一种耐高温红外低发射率材料的制备方法及其应用在审
申请号: | 201910266642.9 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN109972107A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 张丽;张敏;殷举航;马晓东;代灵鹭;文静;杨茂旋;彭雨涛;王昕;陆海鹏;尹良君;简贤;谢建良;邓龙江 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于红外隐身技术领域,具体是涉及一种耐高温红外低发射率材料的制备方法及其应用。本发明把在航天结构、传感器、制动器等微电子系统中电极的Zrb2薄膜材料,将其作为耐高温的红外低发射率薄膜,应用于武器装备、航空航天飞行器。本发明方法具有工艺简单,操作简易,成本低廉,薄膜性能优异。最终制备的薄膜材料在3~5um波段红外发射率低于0.2,在8~14um波段红外发射率低于0.1;Zrb2薄膜材料其特殊的晶体结构,兼具陶瓷类材料和金属类材料的优点于一体,具备高强度和弹性模量以及良好的物化稳定性;其熔点超过3000℃,可在低于1000℃环境下稳定工作,作为高超音速飞行器的红外隐身材料。 | ||
搜索关键词: | 薄膜材料 耐高温 制备 红外低发射率材料 红外发射率 波段 薄膜 弹性模量 应用 高超音速飞行器 航空航天飞行器 熔点 红外低发射率 红外隐身材料 红外隐身技术 金属类材料 陶瓷类材料 微电子系统 物化稳定性 制动器 航天结构 晶体结构 武器装备 电极 传感器 简易 | ||
【主权项】:
1.一种耐高温红外低发射率材料的制备方法,具体步骤如下:步骤1、将基片清洗干净后,固定于磁控溅射沉积载台;步骤2、选用ZrB2靶材作为磁控溅射靶,溅射背景真空为低于5×10‑4Pa;步骤3、通入气氛为纯度大于等于99.99%的氩气,调整溅射气压至0.4‑1.0Pa,设定溅射功率为100~400W;步骤4、使用直流磁控溅射,溅射5~10分钟,溅射速率为10~50纳米/分钟,制备得到ZrB2薄膜。
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