[发明专利]一种MOF复合的铜基纳米棒阵列@泡沫铜基复合电极材料及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201910267713.7 申请日: 2019-04-03
公开(公告)号: CN110331414B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 喻发全;李攀;王建芝;谌伟民;蔡宁 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: C25B11/031 分类号: C25B11/031;C25B11/054;C25B11/061;C25B11/091;C25B1/04
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种MOF复合的铜基纳米棒阵列@泡沫铜基复合电极材料及其制备方法和用途。所述MOF复合的铜基纳米棒阵列@泡沫铜基复合电极材料的特征在于,以泡沫铜为基底,所述泡沫铜的表面生长具有MOF复合的氢氧化铜纳米棒阵列;所述MOF为ZIF‑67。其制备方法采用原位合成法直接在泡沫铜基底上生长Cu(OH)2的纳米棒阵列,再以Cu(OH)2纳米棒阵列为基底通过模板定向生长在其表面生长MOF粒子,最后通过脱水处理得到具有电催化性能的电极材料。该复合材料在碱性条件下性能稳定,具有较高的重复利用度,较大的电化学活性面积,极大的提高了材料的催化活性;该制备方法制备工艺简单、烧结温度低、制备过程中能耗低,便于工业化生产。
搜索关键词: 一种 mof 复合 纳米 阵列 泡沫 电极 材料 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
1.一种MOF复合的铜基纳米棒阵列@泡沫铜基复合电极材料,其特征在于,所述复合电极材料以泡沫铜为基底;所述泡沫铜的表面生长具有MOF复合的氢氧化铜纳米棒阵列;所述MOF为ZIF‑67。
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