[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910267991.2 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111785631B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，提供衬底，衬底包括依次设置的第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层，在第三衬底层远离第二衬底层的一端形成掩膜层图案和氧化隔离层；沿氧化物隔离层的外侧依次刻蚀第三衬底层、第二衬底层和第一衬底层，形成隔离沟槽；移除掩膜层图案，沿氧化物隔离层的内侧刻蚀第三衬底层；移除第二衬底层；环绕刻蚀后的第三衬底层沉积隔离层。与现有技术相比，该方法制作出的半导体器件，相比于现有技术中的半导体器件其栅极面积增大，与其他器件连接时的接触面积较大，并且可以有效地避免短沟道效应，其使用效果更佳。进一步地，本发明还提供一种基于该半导体器件的形成方法得到的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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