[发明专利]低功耗脉冲功率放大器在审

专利信息
申请号: 201910268076.5 申请日: 2019-04-03
公开(公告)号: CN110098813A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 宋红艳;文明 申请(专利权)人: 上海船舶电子设备研究所(中国船舶重工集团公司第七二六研究所)
主分类号: H03F3/24 分类号: H03F3/24;H03F1/02
代理公司: 上海段和段律师事务所 31334 代理人: 李佳俊;郭国中
地址: 201100 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种电子电路技术领域内的低功耗脉冲功率放大器,采用D类功放结构,包括:隔离电路,对功率放大器的输入信号进行光电隔离;驱动电路,利用驱动芯片和辅助元件,为后级的功率MOSFET提供全桥驱动信号;功率MOSFET,工作在大信号开关状态,组成D类功率放大器的全桥拓扑结构;变压器和匹配单元,升高功率MOSFET的输出电压,并具有阻抗匹配的功能;自检电路,对功放的输出信号进行分压、检波,输出小信号的自检信号;保护电路,为功放提供过压、过流、过温保护。本发明通过优化驱动电路和功率MOSFET的工作状态、优化设计匹配单元的参数,极大地降低了电路的功耗。
搜索关键词: 功率MOSFET 脉冲功率放大器 匹配单元 低功耗 功放 电路 电子电路技术 全桥拓扑结构 优化驱动电路 功率放大器 辅助元件 隔离电路 光电隔离 过温保护 驱动电路 驱动芯片 全桥驱动 输出电压 输出信号 信号开关 优化设计 自检电路 自检信号 阻抗匹配 分压 功耗 检波 变压器 升高 输出
【主权项】:
1.一种低功耗脉冲功率放大器,其特征在于,所述低功耗脉冲功率放大器采用D类功放结构,包括隔离电路、驱动电路、功率MOSFET、变压器和匹配单元、自检电路、保护电路;隔离电路,对功率放大器的输入信号进行光电隔离;驱动电路,利用驱动芯片和辅助元件,为后级的功率MOSFET提供全桥驱动信号;功率MOSFET,工作在大信号开关状态,组成D类功率放大器的全桥拓扑结构;变压器和匹配单元,升高功率MOSFET的输出电压,并具有阻抗匹配的功能;自检电路,对功放的输出信号进行分压、检波,输出小信号的自检信号;保护电路,为功放提供过压、过流、过温保护。
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