[发明专利]双向功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910268167.9 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110120416A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张邵华 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于沟槽侧壁上的栅介质层；位于沟槽内的控制栅，控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部；其中，控制栅与半导体层之间由栅介质层隔开。本申请中沟槽内的控制栅从半导体层的第一表面延伸至沟槽下部，源区和漏区从半导体层的第一表面延伸至于沟槽下部的控制栅交叠。源区和漏区延伸的长度较长，使得源区和漏区在双向功率器件截止时可以承担纵向方向上源区和漏区上施加的高压，提高双向功率器件的耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 双向功率 控制栅 漏区 第一表面 源区 延伸 栅介质层 沟槽侧壁 上源区 隔开 交叠 耐压 制造 截止 施加 申请 | ||
【主权项】：
1.一种双向功率器件，其特征在于，包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽内的控制栅，所述控制栅从所述半导体层的第一表面延伸至所述沟槽下部；其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。
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