[发明专利]双向功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910268168.3 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110137243A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张邵华 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的屏蔽栅；以及位于所述控制栅和所述屏蔽栅之间的隔离层，其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请中屏蔽栅位于彼此隔离的控制栅上方，且通过屏蔽介质层与源区和漏区隔离，双向功率器件截止时屏蔽栅通过屏蔽介质层耗尽源区和漏区的电荷，提高耐压特性；双向功率器件导通时，源区和/或漏区与半导体层提供低阻抗的导通路径。 | ||
| 搜索关键词： | 双向功率 半导体层 控制栅 屏蔽栅 漏区 源区 屏蔽介质层 栅介质层 隔离 导通路径 沟槽侧壁 电荷 低阻抗 隔离层 导通 隔开 耐压 耗尽 制造 截止 申请 | ||
【主权项】：
1.一种双向功率器件，其特征在于，包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的屏蔽栅；以及位于所述控制栅和所述屏蔽栅之间的隔离层，其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。
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