[发明专利]一种WVTaTiZr难熔高熵合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201910268799.5 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109778050B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴玉程;侯庆庆;罗来马;谭晓月;昝祥;朱晓勇;刘东光 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/04 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种WVTaTiZr难熔高熵合金及其制备方法，其中WVTaTiZr难熔高熵合金的组元为W、V、Ta、Ti、Zr，其中各组分按原子百分比构成为：W 20‑23％，V 20‑23％，Ta 20‑23％，Ti 20‑23％，Zr 8‑20％。本发明采用机械混粉的方法获得复合粉体，再通过放电等离子烧结制备出综合性能良好的WVTaTiZr单相难熔高熵合金材料，其组织均匀，硬度、强度等综合性能均得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 wvtatizr 难熔高熵 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种WVTaTiZr难熔高熵合金，其特征在于：所述WVTaTiZr难熔高熵合金的组元为W、V、Ta、Ti、Zr，其中各组分按原子百分比构成为：W 20‑23％，V 20‑23％，Ta 20‑23％，Ti 20‑23％，Zr 8‑20％。
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