[发明专利]一种有机发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910269033.9 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN109980113A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 万敏强;朱文清;王梦狄;刘丹;石冠杰;张沛;殷正元 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 瞿晓晶
地址: 201900*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管及其制备方法,本发明提供的有机发光二极管,包括ITO基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和电极层;所述空穴注入层为PEDOT:PSS层和MoS2量子点层。本发明主要是通过MoS2量子点层来增强有机发光二极管(OLED)的空穴注入能力,同时,所述MoS2量子点层可以阻挡PEDOT:PSS层吸收水分,提高有机发光二极管器件的稳定性。根据实施例的记载,本发明所述的发光二极管器件的最高电流效率最高可达73.5cd·A‑1,较现有技术中的最高电流效率(60.2cd·A‑1)有了较大的提高。
搜索关键词: 有机发光二极管 量子点层 空穴注入层 电流效率 制备 有机发光二极管器件 发光二极管技术 发光二极管器件 空穴注入能力 电子传输层 电子注入层 空穴传输层 电极层 发光层 阻挡 吸收
【主权项】:
1.一种有机发光二极管,由下到上依次包括ITO基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和电极层;所述空穴注入层由下到上依次包括PEDOT:PSS层和MoS2量子点层。
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