[发明专利]一种快速面测多晶硅片反射率的方法在审
| 申请号： | 201910269251.2 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN111795953A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 熊震;李云珠;何秋湘;殷丽 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213022 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速面测多晶硅片反射率的方法，属于光伏技术领域，所述方法包括以下步骤：测试不同晶向的硅片在不同工艺条件下所对应的反射率，建立得到反射率数据库；测试待测硅片的晶向分布情况，获得待测硅片的晶向分布情况；根据待测硅片的晶向分布情况，并结合建立的反射率数据库，计算得到待测硅片的反射率。本发明相比于已有的硅片单点反射率测试，该方法能快捷获取整个硅片的反射率。此外，可对比不同制绒、镀膜等工艺对该硅片的反射率的影响，操作简单，耗时短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 多晶 硅片 反射率 方法 | ||
【主权项】：
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