[发明专利]一种介质填充短脉冲高功率微波器件有效

专利信息
申请号: 201910269341.1 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN109936040B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 张运俭;丁恩燕 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 孙杰;古波
地址: 621000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种介质填充短脉冲高功率微波器件,包括两端封闭的外套筒,其内部设置发射区和束波互作用区;所述发射区设置环形的阴极,阴极位于外套筒的一端,与外套筒同轴;所述束波互作用区设置介质薄管,与外套筒同轴,介质薄管的外径与外套筒内径相同;在300kV电压下阴极发射脉冲宽度为1ns,电流强度为4kA的环形电子束,环形电子束在0.5T同轴磁场引导下进入束波互作用区,辐射产生脉宽为500ps,峰值功率为500MW,频率为30GHz的高功率微波。采用本发明的一种介质填充短脉冲高功率微波器件,具有高峰值功率,短脉冲的特点。
搜索关键词: 一种 介质 填充 脉冲 功率 微波 器件
【主权项】:
1.一种介质填充短脉冲高功率微波器件,其特征在于:包括两端封闭的外套筒,其内部设置发射区和束波互作用区;所述发射区设置环形的阴极,阴极位于外套筒的一端,与外套筒同轴;所述束波互作用区设置中空的介质薄管,与外套筒同轴,介质薄管的外径与外套筒内径相同;在300kV电压下阴极发射脉冲宽度为1ns,电流强度为4kA的环形电子束,环形电子束在0.5T同轴磁场引导下进入束波互作用区,辐射产生脉宽为500ps,峰值功率为500MW,频率为30GHz的高功率微波。
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