[发明专利]蚀刻终点时间的确定方法和多晶硅膜蚀刻方法在审
| 申请号： | 201910271126.5 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN111785651A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻终点时间的确定方法以及多晶硅膜蚀刻方法。蚀刻终点时间确定方法包括：将形成有多晶硅膜的基板放入蚀刻液中蚀刻；实时监测蚀刻液的浓度或温度中的至少一种的变化；将浓度或温度中至少一种的变化趋势改变的时间确定为蚀刻终点时间。该方法可以作为预先测试实验，蚀刻多晶硅膜时，可以在到达上述时间时停止刻蚀。另外，也可以在蚀刻多晶硅膜时，实时监测浓度或温度中的至少一种的变化，当浓度或温度中至少一种的变化趋势改变时停止蚀刻。本发明的方法对蚀刻时间判断准确，避免过度蚀刻和蚀刻不足，且步骤简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 终点 时间 确定 方法 多晶 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
