[发明专利]一种高温度稳定性紫外雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高温度稳定性紫外雪崩光电探测器及其制备方法，其中高温度稳定性紫外雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型GaN吸收层、n型GaN分离层、GaN/AlN能带调制周期结构层和p型GaN层；所述n型AlGaN层上引出有n型欧姆电极；所述p型GaN层上引出有p型欧姆电极；所述GaN/AlN能带调制周期结构层由交替设置的多层GaN层和AlN层组成。本发明的高温度稳定性紫外雪崩光电探测器对于更广泛的应用范围具有很强的适应性，特别是对于挥发温度下的应用。

主权项

1.一种高温度稳定性紫外雪崩光电探测器，其特征在于：其结构从下至上依次为AlN模板层(1)、AlN缓冲层(2)、n型AlGaN层(3)、i型GaN吸收层(4)、n型GaN分离层(5)、GaN/AlN能带调制周期结构层(6)和p型GaN层(7)；所述n型AlGaN层(3)上引出有n型欧姆电极(31)；所述p型GaN层(7)上引出有p型欧姆电极(71)；所述GaN/AlN能带调制周期结构层(6)由交替设置的多层GaN层和AlN层组成。