[发明专利]包括双极晶体管的集成电路在审
| 申请号： | 201910272414.2 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110349953A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | P·波伊文;J·J·法戈;E·佩蒂特普瑞兹;E·苏谢尔;O·韦伯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L21/8222;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及包括双极晶体管的集成电路。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路和方法。在一个实施例中，集成电路包括双极晶体管行，该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极，共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之间。绝缘沟槽与双极晶体管行中的每个双极晶体管接触。导电层位于绝缘沟槽和共用基极上，位于第一导电区域之间。间隔件层位于导电层和第一导电区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 导电区域 集成电路 绝缘沟槽 导电层 间隔件层 晶体管 多行 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：双极晶体管行，包括：多个第一导电区域；第二导电区域；共用基极，位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；绝缘沟槽，与所述双极晶体管行中的每个双极晶体管接触；导电层，位于所述绝缘沟槽上，并且位于所述共用基极上，位于所述第一导电区域之间；以及间隔件层，位于所述导电层和所述第一导电区域之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
