[发明专利]填充基片的制备方法、填充基片及微孔互连结构制备方法有效
| 申请号： | 201910272978.6 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109994425B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 夏伟锋;魏旭东;赵旭丰;孙振 | 申请（专利权）人： | 上海迈铸半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的微孔互连结构的填充基片的制备方法及填充基片及微孔互连结构的制备方法，在填充基片的填充微孔中通过液态金属填充技术填充zamak锌铝系列合金，zamak锌铝合金的熔点最低可为380度，比锡合金熔点高，因而该微孔互连结构器件在后续的封装或加工过程中，可以适用较高温工艺；同时，zamak锌铝合金有更低的电阻率，从而使微孔互连结构器件在导电性能方面更优。另外，通过在填充基片先溅射一层隔离层，阻挡熔化的zamak锌铝合金腐蚀填充基片，从而解决了由于zamak锌铝合金腐蚀填充基片，导致填充基片上形成的金属互连层两面的热膨胀系数不一致而引起金属互连层带着填充基片一起翘曲的问题或者金属互连层在翘曲的过程中，导致填充基片表面出现小块剥离问题。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 制备 方法 微孔 互连 结构 | ||
【主权项】：
1.一种微孔互连结构的填充基片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基片上覆盖隔离层，在所述基片的一侧主面上形成所述隔离层，所述隔离层用于防止zamak锌铝合金溶液腐蚀所述主面；制作填充微孔，加工若干个贯通所述隔离层和所述基片的填充微孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海迈铸半导体科技有限公司，未经上海迈铸半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910272978.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
