[发明专利]选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910273149.X | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110002393A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;王桂磊;李永亮;周娜;杨涛;傅剑宇;李俊峰;吴振华;殷华湘;朱慧珑;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：在衬底上顺序形成第一材料层和第二材料层，其中第一材料层对第二材料层的各向同性刻蚀选择比大于10，第一材料层含有掺杂元素，沿第一材料层的厚度方向掺杂元素的浓度呈线性递增；对第一材料层进行选择性各向同性刻蚀，选择性各向同性刻蚀的刻蚀速率与掺杂元素的浓度具有正线性关系，以完成对第一材料层的外壁的刻蚀。本申请利用刻蚀工艺中刻蚀速率与待刻蚀材料中掺杂元素浓度之间的正线性关系，得到与浓度递增的方向相反的倾斜侧壁，从而采用上述选择性刻蚀方法，能够得到锐利度较高的纳米针尖结构，还能够灵活调节针尖结构的尺寸、形貌以及角度。 | ||
| 搜索关键词： | 第一材料 选择性刻蚀 掺杂元素 各向同性刻蚀 纳米针尖 刻蚀 第二材料层 正线 制备 形貌 方向相反 刻蚀材料 刻蚀工艺 浓度递增 倾斜侧壁 顺序形成 线性递增 针尖结构 锐利度 选择比 衬底 外壁 灵活 申请 | ||
【主权项】：
1.一种选择性刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底上顺序形成第一材料层和第二材料层，其中所述第一材料层对所述第二材料层的各向同性刻蚀选择比大于10，所述第一材料层含有掺杂元素，沿所述第一材料层的厚度方向所述掺杂元素的浓度呈线性递增；S2，对所述第一材料层进行选择性各向同性刻蚀，所述选择性各向同性刻蚀的刻蚀速率与所述掺杂元素的浓度具有正线性关系，以完成对所述第一材料层的外壁的刻蚀。
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