[发明专利]倒角的替代栅极结构在审
| 申请号： | 201910274505.X | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459603A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王海艇;路荣涛;张志强;许国伟;臧辉;S·贝瑟尔;谢瑞龙 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本公开涉及倒角的替代栅极结构。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及倒角的替换栅极结构和制造方法。该结构包括：位于沟槽结构中的凹陷的栅极电介质材料；位于凹陷的栅极电介质材料上位于沟槽结构内的多个凹陷的功函数材料；位于沟槽结构内并且位于凹陷的栅极电介质材料和多个凹陷的功函数材料上方的多个附加功函数材料；位于沟槽结构内并且位于多个附加功函数材料之上的栅极金属，栅极金属和多个附加功函数材料具有位于沟槽结构的顶表面下方的平坦表面；以及位于栅极金属和多个附加功函数材料之上的帽盖材料。 | ||
| 搜索关键词： | 功函数 沟槽结构 凹陷 栅极电介质材料 栅极金属 栅极结构 倒角 半导体结构 帽盖材料 平坦表面 顶表面 替换 替代 制造 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：/n位于沟槽结构中的凹陷的栅极电介质材料；/n位于所述凹陷的栅极电介质材料上、位于所述沟槽结构内的多个凹陷的功函数材料；/n位于所述沟槽结构内并且位于所述凹陷的栅极电介质材料和所述多个凹陷的功函数材料上方的多个附加功函数材料；/n位于所述沟槽结构内并且位于所述多个附加功函数材料之上的栅极金属，所述栅极金属和所述多个附加功函数材料具有位于所述沟槽结构的顶表面下方的平坦表面；以及/n位于所述栅极金属和所述多个附加功函数材料之上的帽盖材料。/n
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