[发明专利]基于热耦合增强效应的光纤传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910274595.2 申请日: 2019-04-08
公开(公告)号: CN110132328B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 王红成;张耿;黄晓园;郑华;张绍强 申请(专利权)人: 东莞理工学院
主分类号: G01D5/353 分类号: G01D5/353;G01N21/552;G01N21/17;G01L1/24;G01J1/42
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 程华
地址: 523808 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了基于热耦合增强效应的光纤传感器及其制备方法,基于热耦合增强效应的侧抛结构光纤传感器包括:具有裸露出纤芯的微结构光纤以及对微结构光纤裸露区加热的加热设备,微结构光纤裸露区表面依次沉积有金属颗粒层(101)、热敏材料层(102)和敏感层(103),金属颗粒层(101)用于吸收放大倏逝波,倏逝波为光纤中传播的电磁波在微结构光纤处产生的倏逝波,敏感层(103)用于检测待测信号。本发明提出的上述光纤传感器具有敏感度高的特点。
搜索关键词: 基于 耦合 增强 效应 光纤 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.基于热耦合增强效应的侧抛结构光纤传感器,其特征在于,包括:具有裸露出纤芯的微结构光纤以及对所述微结构光纤裸露区加热的加热设备,所述微结构光纤裸露区表面依次沉积有金属颗粒层(101)、热敏材料层(102)和敏感层(103);所述金属颗粒层(101)用于吸收放大倏逝波,所述倏逝波为光纤中传播的电磁波在所述微结构光纤处产生的倏逝波;所述敏感层(103)用于检测待测信号。
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