[发明专利]一种在三维微结构表面制备透明导电纳米线网格薄膜的方法有效
申请号: | 201910276109.0 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN109950366B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 刘欢;刘卫国;白民宇;王卓曼;韩军;舒利利;敬娟;刘蓉 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 何会侠 |
地址: | 710021 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种在三维微结构表面制备透明导电纳米线网格薄膜的方法,首先制作上表面具有三维微结构的刚性基底,然后采用压印方式以刚性基底为模板制作与之配合的柔性压板,在刚性基底三维微结构上涂覆导电纳米线混合液并用柔性压板向下挤压至二者之间保留一定间隙,留存在间隙中的导电纳米混合液干燥后即得到附着在刚性基底三维微结构表面的纳米网格薄膜,网格中相互搭接的导电纳米线实现电路导通,纳米线之间的网孔透光,实现透明,即实现三维微结构表面的透明导电纳米线网格薄膜制备;刚性基底在涂覆导电纳米线混合液之前采用氧化后腐蚀的方法形成微台阶,与柔性压板配合可以控制间隙尺寸;所得透明导电纳米线网格薄膜质量高,制备效率高,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 微结构 表面 制备 透明 导电 纳米 网格 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工业大学,未经西安工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910276109.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的