[发明专利]利用肖特基二极管作场板制作的LDMOS及其制作方法在审
| 申请号： | 201910276468.6 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111799172A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用肖特基二极管作场板制作的LDMOS及其制作方法，该方法包括：制备半导体衬底；在半导体衬底内形成N‑漂移区，同时形成肖特基二极管的阴极；在半导体衬底内形成P型注入阱；在P型注入阱与N‑漂移区邻接部分的上表面形成闸极；在N‑漂移区内形成肖特基二极管的保护环；在闸极中靠近N‑漂移区的一侧以及N‑漂移区的上方形成合金阻挡区，合金阻挡区中间开一窗口形成合金区；在合金区上方形成接触孔，同时形成肖特基二极管的阳极。本发明将肖特基二极管嫁接于传统的LDMOS，利用肖特基二极管在漂移区形成的空间电荷区，以优化漂移区特性，减小其尺寸，增加其浓度，获得最小的导通电阻并维持高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 肖特基 二极管 作场板 制作 ldmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
