[发明专利]一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法有效
申请号: | 201910276717.1 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN109913835B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 丁万昱;张一;何艳菲;张鑫 | 申请(专利权)人: | 大连交通大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅;李馨 |
地址: | 116028 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法,属于表面加工、涂层技术领域。本发明所述制备方法为:利用磁控溅射方法得到非晶或锐钛矿相二氧化钛薄膜材料,在大气条件下经800‑1100℃退火后,得到具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料。本发明制备方法简单、成本低、产率高、便于大规模工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 载流子 迁移率 可控 金红石 氧化 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法,其特征在于:所述制备方法为:利用磁控溅射方法得到非晶或锐钛矿相二氧化钛薄膜材料,在大气条件下经800‑1100℃退火后,得到具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料。
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