[发明专利]一种化学机械抛光方法、装置、系统及控制设备在审
| 申请号： | 201910276853.0 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111863613A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵慧佳;赵德文;王同庆;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学;华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67;B24B37/013;B24B37/04;B24B37/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种化学机械抛光方法、系统及控制设备，其中方法包括：在抛光期间对晶圆膜厚进行在线测量，以获取晶圆的第一膜厚形貌和预设时间后的第二膜厚形貌；根据所述第一膜厚形貌、所述第二膜厚形貌以及期望膜厚形貌，计算实际去除速率和期望去除速率，其中，所述实际去除速率为晶圆由所述第一膜厚形貌抛至所述第二膜厚形貌的实际膜厚去除速率，所述期望去除速率为使晶圆由所述第二膜厚形貌达到所述期望膜厚形貌所需的膜厚去除速率；将所述实际去除速率与所述期望去除速率进行比较以调整抛光参数中的压力配方，并按照调整后的压力配方进行抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 方法 装置 系统 控制 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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