[发明专利]雪崩光电二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910276910.5 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110323284A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 曾磊;王肇中 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 王维 |
| 地址： | 430206 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法，该方法包括：制作衬底、第一接触层和第二接触层；在第二接触层上蒸镀钝化层；刻蚀钝化层和第二接触层，形成第二窗口和第一窗口，且使第二窗口与第一窗口呈阶梯状；通过第二窗口和第一窗口进行锌扩散，控制扩散深度，使第一接触层内形成包括边缘区域和中心区域的扩散区，且边缘区域扩散深度比中心区域扩散深度小300‑900纳米。本发明能有效地解决锌扩散时边缘区域难以控制的问题以及由此引起的边缘预先击穿问题。 | ||
| 搜索关键词： | 接触层 边缘区域 雪崩光电二极管 中心区域 锌扩散 扩散 制作 刻蚀钝化层 钝化层 阶梯状 扩散区 有效地 击穿 衬底 蒸镀 | ||
【主权项】：
1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管包括：衬底(1)，其上设有第一接触层(7)；第二接触层(8)，其镀设在所述第一接触层(7)上，且所述第二接触层(8)上设有第一窗口(81)；钝化层(9)，其镀设在所述第二接触层(8)上，且所述钝化层(9)上设有第二窗口(91)，所述第二窗口(91)的横截面的面积大于所述第一窗口(81)的横截面面积，且所述第二窗口(91)与第一窗口(81)呈阶梯状；以及依次经由所述第二窗口(91)与第一窗口(81)扩散而得到的扩散区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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