[发明专利]分层多孔杂化TiO2

摘要

本发明公开了一种分层多孔杂化TiO2/TiO纳米片的原位合成方法及应用，其是先制备钛与C3N4纳米片的复合前驱体，然后利用C3N4模板作用和还原作用，在氩气氛围、较低温度下原位还原形成所述分层多孔杂化TiO2/TiO纳米片。所得材料表现出高的可逆比容量、优异的倍率性能和极好的循环稳定性，可用于作为钠离子电池负极材料。

主权项

1.一种原位合成分层多孔杂化TiO₂/TiO纳米片的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）将100‑300mg的g‑C₃N₄纳米片溶于100‑300ml的乙醇中，超声1‑3h；2）超声后向溶液中加入0.5‑1.5ml的氨水，搅拌20‑50min，再加入1‑2.5ml的钛酸四丁酯，然后于40‑60℃下反应15‑30h，所得产物用去离子水和乙醇分别清洗3‑5次，然后在60℃下烘干，即得到钛与C₃N₄纳米片的复合前驱体；3）将所得复合前驱体在流速为220‑260 mL/min的氩气氛围下、于500‑700℃下煅烧1‑4h，以制得所述分层多孔杂化TiO₂/TiO纳米片。