[发明专利]一种湿度传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910277239.6 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110108762A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;叶乐;於广军 | 申请（专利权）人： | 浙江省北大信息技术高等研究院;杭州未名信科科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿度传感器及其制造方法，包括：衬底、电极层、钝化层，阻挡层、敏感层；所述电极层设置在所述衬底上，所述电极层包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和第二电极呈叉指状交错排列；所述钝化层设置在电极层的第三电极区域以及连接导线上和ASIC电路上；所述阻挡层设置在电极层上。本发明的优点在于：(1)本发明提出了一种既可以保障可靠性，又可以实现较大灵敏度的叉指电容式湿度传感器的结构及其制造方法；(2)本发明特别适用于90～500nm制程的CMOS工艺平台，用于制作CMOS‑MEMS集成湿度传感器芯片；(3)提出了在制作叉指电极的同时，制作屏蔽环的技术，不增加工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 电极层 湿度传感器 第二电极 第三电极 第一电极 钝化层 阻挡层 衬底 制作 集成湿度传感器 制造 保障可靠性 叉指电极 叉指电容 工艺步骤 交错排列 连接导线 灵敏度 叉指状 敏感层 屏蔽环 制程 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS‑MEMS集成湿度传感器，其特征在于，包括：衬底、电极层、钝化层，阻挡层、敏感层；所述电极层设置在所述衬底上，所述电极层包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和第二电极呈叉指状交错排列；所述钝化层设置在电极层的第三电极区域以及连接导线上和ASIC电路上；所述阻挡层设置在电极层上。
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