[发明专利]一种凸块结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910277516.3 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110034025B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郭裕东 | 申请（专利权）人： | 合肥奕斯伟集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 230012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种凸块结构及其制备方法。该凸块结构的制备方法包括：在凸点下金属化层上形成第一防蚀刻层；在第一防蚀刻层中形成多个第一开口；对第一开口下方的凸点下金属化层进行蚀刻，形成凸点下金属化图案层；其中，凸点下金属化图案层暴露出焊盘上方未设置有钝化层的第一区域，并覆盖焊盘上方未设置有钝化层的第二区域。本发明将焊盘上方未设有钝化层的部分区域上方的凸点下金属化层去除掉，防止因为气体的存在导致凸块上表面大多数区域无法与基板键合，避免接触不良的现象，提高产品可靠性，并且改善凸块的粗糙度和平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凸块结构的制备方法，其特征在于：在凸点下金属化层上形成第一防蚀刻层；在所述第一防蚀刻层中形成多个第一开口；对所述第一开口下方的所述凸点下金属化层进行蚀刻，形成凸点下金属化图案层；其中，所述凸点下金属化图案层暴露出焊盘上方未设置有钝化层的第一区域，并覆盖焊盘上方未设置有钝化层的第二区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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