[发明专利]具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜及制备方法

摘要

本发明涉及锰氧化物薄膜制备技术领域，公开了一种具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜，其具有[LaMnO3(m)/SrMnO3(n)]10的结构，其中LaMnO3为一种A型反铁磁莫特绝缘体材料，SrMnO3为一种G型反铁磁禁带绝缘体材料，在这两种锰氧化物组成的异质结界面处，由于锰离子价态的不同会产生明显的双交换作用，本发明的锰氧化物薄膜最高水平交换偏置可达950Oe，最大垂直磁滞回线偏移可达29％。相比较其他薄膜，本发明的锰氧化物薄膜厚度更薄，整体厚度只有几十纳米，可以很好地用于小型化、微型化的自旋阀及传感器等磁记录材料中。

主权项

1.一种具有水平和垂直交换偏置效应的锰氧化物薄膜，其特征在于，其具有如通式(I)所表示的结构：[LaMnO₃(m)/SrMnO₃(n)]₁₀(I)；其中m和n为自然数，分别表示LaMnO₃层及SrMnO₃层厚度方向上的晶胞数目。